物料型号: K4B4G1646E-BCMA
DDR3 SDRAM
| 大类 | Memory & Storage |
| 子类 | DDR3 K4B4G1646E |
| 品牌 | Samsung |
| 封装 | FBGA-96(7.5x13.3) |
| 合规 | RoHs |
| MOQ | 1 |
| 交期 | 3个工作日 |
| 典型应用 | 路由器、交换机与网络网关、工控主板、机顶盒与智能电视平台 |
| 库存 | 有货 |
K4B4G1646E-BCMA 是三星 4Gb E-die DDR3 SDRAM，该 die 仅提供 x16 位宽版本，采用 96 球 FBGA 封装。寻址结构为 256M × 16，内部 8 个 Bank，最高数据速率 1866 Mbps/pin（时钟 933MHz），CAS 延迟 13。
由于是 x16 器件，单颗即覆盖完整的 16 位内存总线——这也是它在成本敏感型嵌入式设计中长期作为标准选型的原因，无需为凑位宽而堆叠 x8 颗粒。扩展方式直观：两颗构成 32 位接口、1GB 容量，四颗构成 64 位接口、2GB 容量。
| 参数项 | 规格 |
|---|---|
| 品牌 | 三星 Samsung |
| 型号 | K4B4G1646E-BCMA |
| 产品系列 | DDR3 SDRAM（分立颗粒） |
| Die 版本 | E-die |
| 密度 | 4Gb（512MB） |
| 组织结构 | 256M × 16，8 Banks |
| 速率档 | DDR3-1866（1866 Mbps/pin，fCK 933MHz） |
| 时序 | CL13-13-13，tCK(min) 1.071 ns |
| 供电电压 | VDD / VDDQ = 1.5V（1.425V~1.575V） |
| 工作温度 | 0 °C ~ 95 °C（商规，Tcase） |
| 封装形式 | 96球 FBGA |
| 环保认证 | 无铅、无卤，符合 RoHS |
| 包装方式 | Tray 托盘 |
| 型号 | 电压 | 速率档 | CAS |
|---|---|---|---|
| K4B4G1646E-BCK0 | 1.5V | DDR3-1600 | 11-11-11 |
| K4B4G1646E-BCMA | 1.5V | DDR3-1866 | 13-13-13 |
| K4B4G1646E-BCNB | 1.5V | DDR3-2133 | 14-14-14 |
| K4B4G1646E-BYMA | 1.35V（DDR3L） | DDR3-1866 | 13-13-13 |
